AS6C8016-55ZIN

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AS6C8016-55ZIN概述

ALLIANCE MEMORY  AS6C8016-55ZIN  芯片, SRAM, 8MB, 2.7-5.5V, 512KX16, TSOP44

静态 RAM,


得捷:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II


欧时:
Alliance Memory AS6C8016-55ZIN, 8Mbit SRAM 内存, 512K 个字 x 16 位, 2.7 → 5.5 V, 44针 TSOP封装


立创商城:
AS6C8016 55ZIN


贸泽:
静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器


e络盟:
SRAM, 8 Mbit, 512K x 16位, 2.7V 至 5.5V, TSOP, 44 引脚, 55 ns


安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II


富昌:
AS6C8016 系列 8 Mb 512 K x 16 3 V 55 ns CMOS 静态 RAM - TSOP 11-44


TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 512kx16bit; 2.7÷5.9V; 55ns; TSOP44 II


Verical:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II Tray


Newark:
# ALLIANCE MEMORY  AS6C8016-55ZIN  SRAM, 8MB, 2.7-5.5V, 512KX16, TSOP44


儒卓力:
**SRAM 512Kx16 55ns TSOP44 **


Win Source:
IC SRAM 8MBIT 55NS 44TSOP


AS6C8016-55ZIN中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.70V min

工作电压 2.7V ~ 5.9V

针脚数 44

存取时间 55 ns

内存容量 1000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

长度 18.42 mm

宽度 10.16 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Power Management, Communications & Networking, 电源管理, 通信与网络

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

AS6C8016-55ZIN引脚图与封装图
AS6C8016-55ZIN引脚图
AS6C8016-55ZIN封装图
AS6C8016-55ZIN封装焊盘图
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型号: AS6C8016-55ZIN
描述:ALLIANCE MEMORY  AS6C8016-55ZIN  芯片, SRAM, 8MB, 2.7-5.5V, 512KX16, TSOP44
替代型号AS6C8016-55ZIN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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