AUIRFR540Z参数规格_中文资料_数据手册PDF

AUIRFR540Z概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 0.0225 ohm, 10 V, 4 V

Benefits:

.: Advanced process technology

.: Ultra-low on-resistance

.: 175°C operating temperature

.: Fast switching

.: Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

.: Lead free, RoHS compliant

.: Automotive qualified

AUIRFR540Z中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 22.5 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 91 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 35A

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 1690pF @25VVds

下降时间 34 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 91W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买AUIRFR540Z

型号： AUIRFR540Z

制造商： Infineon 英飞凌

描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 0.0225 ohm, 10 V, 4 V

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替代型号AUIRFR540Z

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