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APT20N60SC3G图片1

APT20N60SC3G概述

MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK

表面贴装型 N 通道 20.7A（Tc） 208W（Tc） D3Pak

得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK

APT20N60SC3G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 20.7 A

耗散功率 208W Tc

输入电容 2.44 nF

栅电荷 114 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20.7 A

输入电容Ciss 2440pF @25VVds

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT20N60SC3G

型号： APT20N60SC3G

制造商： Microsemi 美高森美

描述：MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK

替代型号APT20N60SC3G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
APT20N60SC3G Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
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