APT10M09B2VFRG参数规格_中文资料_数据手册PDF

APT10M09B2VFRG概述

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

N-Channel 100V 100A Tc 625W Tc Through Hole T-MAX™ [B2]

得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

APT10M09B2VFRG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 100 A

耗散功率 625W Tc

输入电容 9.87 nF

栅电荷 350 nC

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 100 A

输入电容Ciss 9875pF @25VVds

耗散功率Max 625W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： APT10M09B2VFRG

描述：MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX