APT17N80BC3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

APT17N80BC3G概述

MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

N-Channel 800V 17A Tc 208W Tc Through Hole TO-247-3

得捷:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3

APT17N80BC3G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 17.0 A

耗散功率 208W Tc

输入电容 2.25 nF

栅电荷 90.0 nC

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 17.0 A

输入电容Ciss 2250pF @25VVds

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： APT17N80BC3G

描述：MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

替代型号APT17N80BC3G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
APT17N80BC3G Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
APT17N80BC3 美高森美	功能相似	APT17N80BC3G和APT17N80BC3的区别

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APT17N80BC3G

Microsemi 美高森美

当前型号

APT17N80BC3

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