APT50MC120JCU2

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APT50MC120JCU2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

输入电容Ciss 2980pF @1000VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT50MC120JCU2
型号: APT50MC120JCU2
描述:MOSFET N-CH 1200V SOT227

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