PDIP N+P 30V 7.7A/6.2A
Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.3W Through Hole 8-PDIP
得捷: MOSFET N/P-CH 30V 8DIP
艾睿: Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.7A/6.2A 8-Pin PDIP
Win Source: MOSFET N/P-CH 30V 8DIP
极性 N+P
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7.7A/6.2A
上升时间 4.9 ns
输入电容Ciss 630pF @15VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 3.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3 W
安装方式 Through Hole
引脚数 8
封装 DIP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册