AO4619参数规格_中文资料_数据手册PDF

AO4619概述

SOIC N+P 30V 7.4A/5.2A

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V - 2W 表面贴装型 8-SOIC

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.4A/5.2A 8-Pin SOIC T/R

Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

AO4619中文资料参数规格

技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.4A/5.2A

输入电容Ciss 448pF @15VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AO4619

型号： AO4619

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：SOIC N+P 30V 7.4A/5.2A