APTC60DDAM70T3G

APTC60DDAM70T3G概述

双升压斩波超级结MOSFET功率模块 Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 600V 39A 250W 底座安装 SP3


得捷:
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 32-Pin Case SP-3


APTC60DDAM70T3G中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 7000pF @25VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 84 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 32

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTC60DDAM70T3G
描述:双升压斩波超级结MOSFET功率模块 Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module

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