APTM120DU29TG

APTM120DU29TG概述

双共源MOSFET功率模块 Dual Common Source MOSFET Power Module

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 1200V(1.2kV) 34A 780W 底座安装 SP4


得捷:
MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 34A 20-Pin Case SP-4


APTM120DU29TG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 34A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 10300pF @25VVds

额定功率Max 780 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 780000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 20

封装 SP-4

外形尺寸

封装 SP-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTM120DU29TG
描述:双共源MOSFET功率模块 Dual Common Source MOSFET Power Module

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