APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G概述

全 - 桥式MOSFET功率模块 Full - Bridge MOSFET Power Module

MOSFET - 阵列 4 个 N 通道(H 桥) 1200V(1.2kV) 17A 390W 底座安装 SP3


得捷:
MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 32-Pin Case SP-3


APTM120H57FT3G中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 1200 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 5155pF @25VVds

额定功率Max 390 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 390000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 32

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTM120H57FT3G
描述:全 - 桥式MOSFET功率模块 Full - Bridge MOSFET Power Module

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