非对称 - 桥MOSFET功率模块 Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module
MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 500V 46A 357W 底座安装 SP4
得捷: MOSFET 2N-CH 500V 46A SP4
艾睿: Trans MOSFET N-CH 500V 46A 20-Pin Case SP-4
极性 N-CH
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 46A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 5600pF @25VVds
额定功率Max 357 W
下降时间 77 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 357000 mW
安装方式 Chassis
引脚数 20
封装 SP-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册