非对称 - 桥MOSFET功率模块 Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module
MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 200V 89A 357W 底座安装 SP4
得捷: MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4
漏源极电压Vds 200 V
输入电容Ciss 6850pF @25VVds
额定功率Max 357 W
安装方式 Chassis
封装 SP-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册