AS6C1008-55PCN

AS6C1008-55PCN图片1
AS6C1008-55PCN图片2
AS6C1008-55PCN图片3
AS6C1008-55PCN图片4
AS6C1008-55PCN图片5
AS6C1008-55PCN图片6
AS6C1008-55PCN图片7
AS6C1008-55PCN图片8
AS6C1008-55PCN图片9
AS6C1008-55PCN图片10
AS6C1008-55PCN图片11
AS6C1008-55PCN图片12
AS6C1008-55PCN图片13
AS6C1008-55PCN图片14
AS6C1008-55PCN图片15
AS6C1008-55PCN概述

ALLIANCE MEMORY  AS6C1008-55PCN  芯片, SRAM, 1MB, 2.7V-5.5V, 128KX8, PDIP32

静态 RAM,


得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32DIP


欧时:
Alliance Memory AS6C1008-55PCN, 1Mbit SRAM 内存, 128K x 8 位, 2.7 → 5.5 V, 32针 PDIP封装


立创商城:
AS6C1008 55PCN


贸泽:
静态随机存取存储器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器


安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32-Pin PDIP


TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; DIP32


Verical:
SRAM Chip Async Single 3V 1M-bit 128K x 8 55ns 32-Pin PDIP Tube


Newark:
SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.7V to 5.5V, DIP, 32 Pins, 55 ns


儒卓力:
**SRAM 128Kx8 55ns DIP32 **


AS6C1008-55PCN中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.00 V

工作电压 2.7V ~ 5.5V

针脚数 32

存取时间 55 ns

内存容量 125000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.7V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

长度 41.91 mm

宽度 13.818 mm

高度 3.81 mm

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 嵌入式设计与开发, Embedded Design & Development

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

AS6C1008-55PCN引脚图与封装图
AS6C1008-55PCN引脚图
AS6C1008-55PCN封装图
AS6C1008-55PCN封装焊盘图
在线购买AS6C1008-55PCN
型号: AS6C1008-55PCN
描述:ALLIANCE MEMORY  AS6C1008-55PCN  芯片, SRAM, 1MB, 2.7V-5.5V, 128KX8, PDIP32
替代型号AS6C1008-55PCN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AS6C1008-55PCN

Alliance Memory 联盟记忆

当前型号

当前型号

AS6C1008-55PIN

联盟记忆

完全替代

AS6C1008-55PCN和AS6C1008-55PIN的区别

AS6C1008-55SIN

联盟记忆

类似代替

AS6C1008-55PCN和AS6C1008-55SIN的区别

K6T1008C2E-DB55

三星

功能相似

AS6C1008-55PCN和K6T1008C2E-DB55的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司