AP4232BGM-HF-3TR

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AP4232BGM-HF-3TR中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.022 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.6A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买AP4232BGM-HF-3TR
型号: AP4232BGM-HF-3TR
制造商: Advanced Power Electronics 富鼎先进电子
描述:ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP  AP4232BGM-HF-3TR  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.6 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1 V
替代型号AP4232BGM-HF-3TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AP4232BGM-HF-3TR

Advanced Power Electronics 富鼎先进电子

当前型号

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