APT45GR65SSCD10参数规格_中文资料_数据手册PDF

APT45GR65SSCD10概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 118A 543000mW 3Pin2+Tab D3PAK

IGBT NPT 表面贴装型 D3Pak

得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 118A

APT45GR65SSCD10中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 543000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 80 ns

额定功率Max 543 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 543000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Motor Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： APT45GR65SSCD10

描述：Trans IGBT Chip N-CH 650V 118A 543000mW 3Pin2+Tab D3PAK