AS4C32M16D2-25BCN

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AS4C32M16D2-25BCN概述

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 32M x 16 DDR2

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 400MHz 400ps 84-TFBGA 8x12.5


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 32M x 16 DDR2


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin TFBGA


AS4C32M16D2-25BCN中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.4 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

引脚数 84

封装 FBGA-84

外形尺寸

封装 FBGA-84

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

AS4C32M16D2-25BCN引脚图与封装图
AS4C32M16D2-25BCN引脚图
AS4C32M16D2-25BCN封装图
AS4C32M16D2-25BCN封装焊盘图
在线购买AS4C32M16D2-25BCN
型号: AS4C32M16D2-25BCN
描述:动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 32M x 16 DDR2
替代型号AS4C32M16D2-25BCN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Alliance Memory 联盟记忆

当前型号

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