AUIRF7379Q

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AUIRF7379Q概述

MOSFET,InfineonInfineon 的 HEXFET® MOSFET 技术提供了 AECQ-101 汽车资格双芯片 MOSFET 设备。 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备,以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项,设计人员可以选择双 N 通道、双 P 通道或双 N/P 通道配置。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

汽车双功率 MOSFET,Infineon

Infineon 的 HEXFET® MOSFET 技术提供了 AECQ-101 汽车资格双芯片 MOSFET 设备。 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备,以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项,设计人员可以选择双 N 通道、双 P 通道或双 N/P 通道配置。


欧时:
Infineon 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF7379Q, 4.3 A, 5.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.8A/4.3A 8-Pin SOIC N Tube


AUIRF7379Q中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2.5 W

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2.5 W

产品系列 AUIRF7379Q

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买AUIRF7379Q
型号: AUIRF7379Q
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:MOSFET,Infineon Infineon 的 HEXFET® MOSFET 技术提供了 AECQ-101 汽车资格双芯片 MOSFET 设备。 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备,以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项,设计人员可以选择双 N 通道、双 P 通道或双 N/P 通道配置。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号AUIRF7379Q
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AUIRF7379Q

International Rectifier 国际整流器

当前型号

当前型号

SI4532CDY-T1-GE3

威世

功能相似

AUIRF7379Q和SI4532CDY-T1-GE3的区别

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