AS4C8M16S-6BIN

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AS4C8M16S-6BIN概述

DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8M x 16 3.3V 54Pin TFBGA

SDRAM 存储器 IC 128Mb(8M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA


安富利:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8M x 16 3.3V 54-Pin TFBGA


AS4C8M16S-6BIN中文资料参数规格
技术参数

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

AS4C8M16S-6BIN引脚图与封装图
AS4C8M16S-6BIN引脚图
AS4C8M16S-6BIN封装图
AS4C8M16S-6BIN封装焊盘图
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型号: AS4C8M16S-6BIN
描述:DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8M x 16 3.3V 54Pin TFBGA
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AS4C8M16S-6BIN

Alliance Memory 联盟记忆

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