AS4C4M16SA-6BIN

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AS4C4M16SA-6BIN概述

AS4C4M16SA 系列 64-Mb 4 M x 16 166 MHz 表面贴装 CMOS SDRAM - TFBGA-54

SDRAM 存储器 IC 64Mb(4M x 16) 并联 166 MHz 5.4 ns 54-TFBGA(8x8)


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA


立创商城:
AS4C4M16SA 6BIN


贸泽:
DRAM


Verical:
64M-4M x 16 bit Synchronous DRAM


儒卓力:
**SDRAM 64Mb 4Mx16 166MHz BGA **


AS4C4M16SA-6BIN中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 166 MHz

存取时间 5.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买AS4C4M16SA-6BIN
型号: AS4C4M16SA-6BIN
描述:AS4C4M16SA 系列 64-Mb 4 M x 16 166 MHz 表面贴装 CMOS SDRAM - TFBGA-54
替代型号AS4C4M16SA-6BIN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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AS4C4M16S-6BIN

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完全替代

AS4C4M16SA-6BIN和AS4C4M16S-6BIN的区别

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功能相似

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