AT-41532-TR1G

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AT-41532-TR1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定电流 50.0 mA

极性 NPN

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 9dB ~ 15.5dB

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 270

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.25 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AT-41532-TR1G
型号: AT-41532-TR1G
制造商: AVAGO Technologies 安华高科
描述:射频RF双极晶体管 Transistor Si
替代型号AT-41532-TR1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AT-41532-TR1G

AVAGO Technologies 安华高科

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41532

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