MOSFET，InfineonInfineon 的 HEXFET® MOSFET 技术提供了 AECQ-101 汽车资格双芯片 MOSFET 设备。 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 N 通道、双 P 通道或双 N/P 通道配置。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
汽车双功率 MOSFET，Infineon
Infineon 的 HEXFET® MOSFET 技术提供了 AECQ-101 汽车资格双芯片 MOSFET 设备。 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 N 通道、双 P 通道或双 N/P 通道配置。
欧时:
### 汽车双功率 MOSFET，InfineonInfineon 的 HEXFET® MOSFET 技术提供了 AECQ-101 汽车资格双芯片 MOSFET 设备。 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 N 通道、双 P 通道或双 N/P 通道配置。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A Automotive 8-Pin SOIC Tube
TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; HEXFET; 55V; 65A; 4.7W; SO8
额定功率 4.7 W
漏源极电阻 0.043 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
产品系列 AUIRF7343Q
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 55 V
输入电容Ciss 740pF @25VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17