APT20M45SVRG参数规格_中文资料_数据手册PDF

APT20M45SVRG概述

Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3Pin2+Tab D3PAK

This power MOSFET from can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 300000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes power mos v technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

APT20M45SVRG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 56.0 A

耗散功率 300 W

输入电容 4.86 nF

栅电荷 195 nC

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 56.0 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 4050pF @25VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 D3PAK-3

外形尺寸

封装 D3PAK-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT20M45SVRG

型号： APT20M45SVRG

制造商： Microsemi 美高森美

描述：Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3Pin2+Tab D3PAK

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替代型号APT20M45SVRG

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