Ultra Fast NPT - IGBT with Ultra Soft Recovery Diode
IGBT NPT 650 V 135 A 446 W 底座安装 SOT-227
得捷: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
艾睿: Ultra Fast NPT - IGBT with Ultra Soft Recovery Diode
Verical: Trans IGBT Chip N-CH 650V 135A 446000mW Tube
击穿电压集电极-发射极 650 V
额定功率Max 446 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 446000 mW
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Motor Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册