AT-41535G参数规格_中文资料_数据手册PDF

AT-41535G概述

Trans RF BJT NPN 12V 0.06A 4Pin Case 35 Micro-X

RF NPN 12V 60mA 8GHz 500mW 表面贴装型 35 micro-X

得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X

AT-41535G中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 10dB ~ 18dB

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 8V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Micro-X

外形尺寸

封装 Micro-X

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： AT-41535G

描述：Trans RF BJT NPN 12V 0.06A 4Pin Case 35 Micro-X