ALD1108ESCL参数规格_中文资料_数据手册PDF

ALD1108ESCL概述

Mosfet 4n-Ch 10V 16soic

Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10V 600mW Surface Mount 16-SOIC

得捷:
MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC

ALD1108ESCL中文资料参数规格

技术参数

通道数 4

漏源极电阻 500 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 10 V

漏源击穿电压 10.0 V

栅源击穿电压 10.6 V

连续漏极电流Ids 12.0 mA

输入电容Ciss 25pF @5VVds

额定功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-16

外形尺寸

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

ALD1108ESCL引脚图与封装图

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型号： ALD1108ESCL

制造商： Advanced Linear Devices 先进线性电子

描述：Mosfet 4n-Ch 10V 16soic