AFV121KHSR5

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AFV121KHSR5概述

RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 1000W, Typ Gain in dB is 17.4 @ 1090MHz, 50V, LDMOS, SOT1829

RF Mosfet LDMOS Dual 50V 100mA 960MHz ~ 1.22GHz 19.6dB 1000W NI-1230-4S


得捷:
IC TRANS RF LDMOS


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 112V 5-Pin CFM-F T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH -0.5V/112V 4-Pin NI-1230S Box


RfMW:
RF Power Transistor,960 to 1215 MHz, 1000 W, Typ Gain in dB is 17.4 @ 1090 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1829


AFV121KHSR5中文资料参数规格
技术参数

频率 960MHz ~ 1.22GHz

输出功率 1000 W

增益 19.6 dB

测试电流 100 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 112 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 4

封装 NI-1230-4S

外形尺寸

封装 NI-1230-4S

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买AFV121KHSR5
型号: AFV121KHSR5
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 1000W, Typ Gain in dB is 17.4 @ 1090MHz, 50V, LDMOS, SOT1829

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