AOD3N80

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AOD3N80概述

DPAK N-CH 800V 2.8A

General Description

The has been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC DC applications.

By providing low RDSon, Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability this part can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.


得捷:
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.8A 3-Pin2+Tab DPAK


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; 83W; TO252


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 2.8A 3-Pin2+Tab DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252


AOD3N80中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 83 W

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 2.8A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 510pF @25VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOD3N80
型号: AOD3N80
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:DPAK N-CH 800V 2.8A

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