ALD1101SAL参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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ALD1101SAL概述

SOIC N-CH 13.2V

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）配对 10.6V - 500mW 表面贴装型 8-SOIC

得捷:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8SOIC

ALD1101SAL中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 75.0 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 10.6 V

栅源击穿电压 13.2 V

连续漏极电流Ids 40.0 mA

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

ALD1101SAL引脚图与封装图

ALD1101SAL引脚图

ALD1101SAL封装图

ALD1101SAL封装焊盘图

在线购买ALD1101SAL

型号： ALD1101SAL

制造商： Advanced Linear Devices 先进线性电子

描述：SOIC N-CH 13.2V