AO5600E

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AO5600E概述

SC-89 N+P 20V 0.6A/0.5A

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 600mA,500mA 380mW 表面贴装型 SC-89-6


得捷:
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6L


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6-Pin SC-89


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary; -20/20V; SC-89-6


DeviceMart:
MOSFET COMPL 20V .6A/.5A SC89-6L


Win Source:
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6L


AO5600E中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.24 W

极性 N+P

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.6A/0.5A

输入电容Ciss 45pF @10VVds

额定功率Max 380 mW

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-89-6

外形尺寸

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AO5600E
型号: AO5600E
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:SC-89 N+P 20V 0.6A/0.5A
替代型号AO5600E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AO5600E

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

当前型号

当前型号

DMC2004VK-7

美台

功能相似

AO5600E和DMC2004VK-7的区别

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