AOV20S60概述
DFN N-CH 600V 18A
N-Channel 600V 3.6A Ta, 18A Tc 8.3W Ta, 278W Tc Surface Mount 4-DFN-EP 8x8
得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.6A/18A 4DFN
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin DFN EP
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; DFN4
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB
AOV20S60中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 8.3W Ta, 278W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 18A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 1038pF @100VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 8.3W Ta, 278W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 DFN-4
外形尺寸
封装 DFN-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
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