APT13003HZTR-G1

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APT13003HZTR-G1概述

APT13003HZTR-G1 , NPN 高压双极晶体管, 1.5 A, Vce=800 V, HFE:5, 4最低MHz, 3针 TO-92封装

Bipolar BJT Transistor NPN 465V 1.5A 4MHz 1.1W Through Hole TO-92


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APT13003HZTR-G1中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1100 mW

击穿电压集电极-发射极 465 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 13 @500mA, 2V

额定功率Max 1.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1100 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

APT13003HZTR-G1引脚图与封装图
APT13003HZTR-G1引脚图
APT13003HZTR-G1封装图
APT13003HZTR-G1封装焊盘图
在线购买APT13003HZTR-G1
型号: APT13003HZTR-G1
制造商: Diodes 美台
描述:APT13003HZTR-G1 , NPN 高压双极晶体管, 1.5 A, Vce=800 V, HFE:5, 4最低MHz, 3针 TO-92封装
替代型号APT13003HZTR-G1
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APT13003HZTR-G1

Diodes 美台

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APT13003HZTR-G1和APT13003EZTR-G1的区别

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