BC549CBK参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC549CBK概述

TO-92 NPN 30V 0.1A

Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 100 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92

得捷:
TRANS NPN 30V 0.1A TO92

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 500mW Automotive 3-Pin TO-92 Box

TME:
Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 500mW; TO92

BC549CBK中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 500 mW

增益频宽积 300 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92

外形尺寸

封装 TO-92

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BC549CBK

制造商： Diotec Semiconductor

描述：TO-92 NPN 30V 0.1A

替代型号BC549CBK