BSM75GB120DN2

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BSM75GB120DN2概述

IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate

• Half-bridge

• Including fast free-wheeling diodes

• Package with insulated metal base plate


立创商城:
BSM75GB120DN2


贸泽:
IGBT 模块 1200V 75A DUAL


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 625000mW 7-Pin 34MM-1 T/R


TME:
IGBT half-bridge; Urmax:600V; Ic:75A; P:625W; Ifsm:150A; screw


BSM75GB120DN2中文资料参数规格
技术参数

额定功率 625 W

耗散功率 625 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 7

封装 34MM-1

外形尺寸

长度 94 mm

宽度 34 mm

高度 30.5 mm

封装 34MM-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Design

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSM75GB120DN2
型号: BSM75GB120DN2
描述:IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate
替代型号BSM75GB120DN2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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