BC858BE6327HTSA1概述
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
Summary of Features:
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- High current gain
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- Low collector-emitter saturation voltage
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- Low noise between 30 hz and 15 kHz
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- Complementary types: BC847...-BC850... NPN
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- Pb-free RoHS compliant package
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- Qualified according AEC Q1011
BC858BE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 330 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 450
额定功率Max 330 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For AF input stages and driver applications
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BC858BE6327HTSA1
替代型号BC858BE6327HTSA1
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