BC848CWT1G

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BC848CWT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC848CWT1G  新

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

### ,On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BC848CWT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

额定功率 150 mW

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 200 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 270

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 420

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC848CWT1G
型号: BC848CWT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC848CWT1G  新
替代型号BC848CWT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC848CWT1G

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