晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 95 hFE
Thanks to Semiconductors and their RF bi-polar junction transistor, you can implement transistors in your high frequency circuits. This RF transistor has an operating temperature range of -40 °C to 150 °C.
得捷:
RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 95 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 16V 0.065A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R
安富利:
Trans GP NPN 12V 0.04A 4-Pin SOT-143R T/R
针脚数 4
耗散功率 450 mW
输入电容 0.71 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 21 dB
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 8V
最大电流放大倍数hFE 200
额定功率Max 450 mW
直流电流增益hFE 95
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 450 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-143-4
封装 SOT-143-4
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99