晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, 95 hFE
RF NPN 12V 60mA 10.5GHz 1W 表面贴装型 SOT-89-3
得捷:
RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
立创商城:
NPN Wideband Silicon RF Transistor
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, 95 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
针脚数 3
耗散功率 1 W
输入电容 1.3 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 8.5 dB
最小电流放大倍数hFE 60 @30mA, 8V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 95
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
封装 SOT-89-3
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99