BFG10W/X,115概述
NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
射频双极，Nexperia
得捷:
RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO
欧时:
NXP BFG10W/X,115 , NPN 射频双极晶体管, 250 mA, Vce=10 V, HFE:25, 4引脚 SOT-343封装
艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.25A 400mW 4-Pin3+Tab SO T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.25A 4-Pin3+Tab SO T/R
BFG10W/X,115中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 400 mW
输出功率 0.65 W
击穿电压集电极-发射极 10 V
最小电流放大倍数hFE 25 @50mA, 5V
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-343
物理参数
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free