BLC8G27LS-160AVJ

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BLC8G27LS-160AVJ概述

Trans RF MOSFET N-CH 65V 7Pin Case DFM T/R

RF Mosfet LDMOS(双),共源 28 V 250 mA 2.5GHz ~ 2.69GHz 14.3dB 31.6W DFM6


得捷:
RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin Case DFM T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 2.496- 2.69 GHz, 160 W, 14.5 dB, 28 V, LDMOS, Assymetrical Doherty


Win Source:
RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751


BLC8G27LS-160AVJ中文资料参数规格
技术参数

频率 2.5GHz ~ 2.69GHz

输出功率 31.6 W

增益 14.3 dB

测试电流 250 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 7

封装 SOT-1275-1

外形尺寸

封装 SOT-1275-1

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLC8G27LS-160AVJ
型号: BLC8G27LS-160AVJ
制造商: Ampleon USA
描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 7Pin Case DFM T/R

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