INFINEON BFR193E6327HTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
射频双极，
欧时:
Infineon BFR193E6327HTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-23封装
立创商城:
12V 80mA
得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
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射频RF双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
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晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# INFINEON BFR193E6327HTSA1 TRANSISTOR, RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-23-3
Win Source:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 / RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT23
频率 8000 MHz
额定电压DC 12.0 V
额定电流 65.0 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 580 mW
输入电容 2.25 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 10dB ~ 15dB
最小电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V
额定功率Max 580 mW
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 580 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 车用, LNA in RF Front-end, Industrial, Wireless, 无线, 电源管理, Power Management, Wireless Communications, Automotive, for various applications like cellular and cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99