BSS87H6327FTSA1

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BSS87H6327FTSA1概述

Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS87H6327FTSA1, 260 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装

SIPMOS® N 通道 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4


欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS87H6327FTSA1, 260 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装


立创商城:
BSS87H6327FTSA1


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 260 mA, 240 V, 3.9 ohm, 10 V, 1.2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 3-Pin SOT-89 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4


Verical:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


BSS87H6327FTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 3.9 Ω

极性 N-CH

耗散功率 1 W

阈值电压 800 mV

漏源极电压Vds 240 V

连续漏极电流Ids 0.26A

上升时间 3.5 ns

输入电容Ciss 77.5pF @25VVds

下降时间 27.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-4-2

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOT-89-4-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSS87H6327FTSA1
型号: BSS87H6327FTSA1
描述:Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS87H6327FTSA1, 260 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装

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