BG3130RH6327XTSA1概述
Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BG3130RH6327XTSA1, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363 SC-88封装
双栅极 MOSFET 四极管
Infineon 双栅极低噪声四极管 MOSFET 射频
得捷:
RF MOSFET N-CH DUAL 5V SOT363-6
欧时:
Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BG3130RH6327XTSA1, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363 SC-88封装
贸泽:
MOSFET TV AND SAT TUNER DIODES
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 8V 0.025A 6-Pin SOT-363 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
BG3130RH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数
频率 800 MHz
额定电流 25 mA
耗散功率 200 mW
增益 24 dB
测试电流 14 mA
输入电容Ciss 1.9pF @5VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
额定电压 8 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Set Top Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BG3130RH6327XTSA1
型号： BG3130RH6327XTSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BG3130RH6327XTSA1, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363 SC-88封装