Trans GP BJT PNP 80V 4A 3Pin3+Tab TO-126 Rail
Bipolar BJT Transistor PNP 80V 4A 3MHz 36W Through Hole TO-126-3
得捷:
TRANS PNP 80V 4A TO126-3
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
频率 3 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -4.00 A
极性 PNP
耗散功率 36 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 40 @500mA, 1V
额定功率Max 36 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 36000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD442STU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BD442S 飞兆/仙童 | 完全替代 | BD442STU和BD442S的区别 |
BD442G 安森美 | 功能相似 | BD442STU和BD442G的区别 |
BD442LEADFREE Central Semiconductor | 功能相似 | BD442STU和BD442LEADFREE的区别 |