BCP53-10T1G

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BCP53-10T1G概述

PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

通用 PNP ,超过 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223


立创商城:
BCP53-10T1G


欧时:
ON Semiconductor BCP53-10T1G , PNP 晶体管, 1.5 A, Vce=80 V, HFE:63, 50 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1.5A 100V PNP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BCP53-10T1G  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -80 V, 50 MHz, 1.5 W, -1.5 A, 63 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 80V 1.5A SOT-223


Win Source:
TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223


BCP53-10T1G中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -1.50 A

针脚数 4

极性 PNP

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V

额定功率Max 1.5 W

直流电流增益hFE 63

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.75 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

BCP53-10T1G引脚图与封装图
BCP53-10T1G引脚图
BCP53-10T1G封装焊盘图
在线购买BCP53-10T1G
型号: BCP53-10T1G
描述:PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
替代型号BCP53-10T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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