BSB013NE2LXIXUMA1

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BSB013NE2LXIXUMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 163 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V

表面贴装型 N 通道 25 V 36A(Ta),163A(Tc) 2.8W(Ta),57W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M™


得捷:
MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON


贸泽:
MOSFET LV POWER MOS


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 36A 7-Pin WDSON T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 36A 7-Pin WDSON-2 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W


Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 36A 7-Pin WDSON T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON / N-Channel 25 V 36A Ta, 163A Tc 2.8W Ta, 57W Tc Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™


BSB013NE2LXIXUMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 57 W

针脚数 2

漏源极电阻 0.0011 Ω

极性 N-CH

耗散功率 2.8 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids 36A

上升时间 6.4 ns

输入电容Ciss 4400pF @12VVds

下降时间 4.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2800 mW

封装参数

引脚数 7

封装 WDSON-2-3

外形尺寸

长度 6.35 mm

宽度 5.05 mm

高度 0.7 mm

封装 WDSON-2-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Mainboard, VRD/VRM, Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSB013NE2LXIXUMA1
型号: BSB013NE2LXIXUMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 163 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V

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