晶体管, MOSFET, N沟道, 163 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V
表面贴装型 N 通道 25 V 36A(Ta),163A(Tc) 2.8W(Ta),57W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M™
得捷:
MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
贸泽:
MOSFET LV POWER MOS
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 36A 7-Pin WDSON T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 36A 7-Pin WDSON-2 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 36A 7-Pin WDSON T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON / N-Channel 25 V 36A Ta, 163A Tc 2.8W Ta, 57W Tc Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
额定功率 57 W
针脚数 2
漏源极电阻 0.0011 Ω
极性 N-CH
耗散功率 2.8 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 36A
上升时间 6.4 ns
输入电容Ciss 4400pF @12VVds
下降时间 4.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2800 mW
引脚数 7
封装 WDSON-2-3
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 WDSON-2-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Mainboard, VRD/VRM, Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free