BULT3P3参数规格_中文资料_数据手册PDF

BULT3P3概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PWR BIP/S.SIGNAL

- 双极 BJT - 单 PNP - 通孔 SOT-32-3

得捷:
TRANS PNP 200V 3A SOT32-3

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PWR BIP/S.SIGNAL

艾睿:
Trans GP BJT PNP 200V 3A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube

Win Source:
TRANS PNP 200V 3A SOT32

BULT3P3中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 32 W

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 10 @10mA, 5V

额定功率Max 32 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SOT-32-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

宽度 2.7 mm

高度 10.8 mm

封装 SOT-32-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BULT3P3

型号： BULT3P3

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PWR BIP/S.SIGNAL

替代型号BULT3P3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BULT3P3 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
BUX87 意法半导体	类似代替	BULT3P3和BUX87的区别
ST13003 意法半导体	类似代替	BULT3P3和ST13003的区别
ST13003-K 意法半导体	功能相似	BULT3P3和ST13003-K的区别