INFINEON BSC123N08NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 10.3 mohm, 10 V, 2.8 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC123N08NS3GATMA1, 55 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装
得捷:
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
贸泽:
MOSFET N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
艾睿:
Make an effective common source amplifier using this BSC123N08NS3GATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 2500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes optimos technology.
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 55 A, 80 V, 10.3 mohm, 10 V, 2.8 V
Win Source:
MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
额定功率 66 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0103 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 66 W
阈值电压 2.8 V
输入电容 1430 pF
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 1430pF @40VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 66W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 5.35 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control, , 发光二极管照明, Power Management, 通信与网络, Consumer Electronics, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
