BZW06-31RL参数规格_中文资料_数据手册PDF

BZW06-31RL概述

峰值脉冲功率600 W（ 10 / 1000毫秒） PEAK PULSE POWER 600 W 10/1000ms

64.3V Clamp 62A 8/20µs Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15

得捷:
TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO15

立创商城:
Vrwm:30.8V 600W

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin DO-15 T/R

安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin DO-15 T/R

Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin DO-15 T/R

Verical:
TVS Diode Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin DO-15 T/R

BZW06-31RL中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 31.0 V

额定功率 600 W

击穿电压 34.2 V

电路数 1

钳位电压 64.3 V

最大反向电压（Vrrm） 30.8V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 34.2 V

击穿电压 34.2 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-15

外形尺寸

长度 6.75 mm

宽度 3.53 mm

直径 3.53 mm

封装 DO-15

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BZW06-31RL

型号： BZW06-31RL

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：峰值脉冲功率600 W（ 10 / 1000毫秒） PEAK PULSE POWER 600 W 10/1000ms

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替代型号BZW06-31RL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BZW06-31RL ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
BZW06-31 意法半导体	完全替代	BZW06-31RL和BZW06-31的区别
SA24CA 力特	功能相似	BZW06-31RL和SA24CA的区别
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