BUJ302AD,118参数规格_中文资料_数据手册PDF

BUJ302AD,118概述

Trans GP BJT NPN 400V 4A 3Pin2+Tab DPAK T/R

Bipolar BJT Transistor NPN 400 V 4 A 80 W Surface Mount DPAK

得捷:
NOW WEEN - BUJ302AD - POWER BIPO

艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

BUJ302AD,118中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 400 V

最小电流放大倍数hFE 25 @800mA, 3V

额定功率Max 80 W

耗散功率Max 80000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BUJ302AD,118

型号： BUJ302AD,118

制造商： NXP 恩智浦

描述：Trans GP BJT NPN 400V 4A 3Pin2+Tab DPAK T/R